本网讯(记者  刘伟俭)为拓宽师生学术视野、了解集成电路领域前沿技术发展趋势、提升专业科研与创新实践能力，9月17日下午，电子信息工程学院/通信工程学院集成电路大讲堂系列讲座在A4-310室开讲。本次讲座邀请到华南理工大学微电子学院/集成电路学院教授、博士生导师陈荣盛作专题分享。学院院长姚若河、集成电路专业相关教师及100余名同学参加了本次讲座。

讲座中，陈荣盛首先从柔性大面积电子集成系统的发展趋势切入，指出金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide  TFT)作为核心有源器件，正在新型显示、智能感知、可穿戴电子与医疗健康监测等前沿领域展现出广阔的应用前景。随着柔性电子、物联网和人工智能技术的快速演进，高性能、高稳定性的薄膜晶体管需求日益迫切，但金属氧化物TFT长期面临一个核心瓶颈：高迁移率与高稳定性难以协同优化；迁移率的提升往往伴随着器件稳定性下降，而稳定性增强又可能牺牲电学性能，这一矛盾成为制约其进一步应用的关键难题。围绕这一核心瓶颈，陈荣盛从器件结构、制备工艺及集成技术等方面展开了系统深入的研讨。他详细介绍了采用金属诱导晶化工艺实现高迁移率金属氧化物有源层薄膜的技术路径，通过精准调控晶化过程，优化薄膜微观结构，从而显著提升有源层的载流子迁移率。同时，他创新性地融合三维立体沟道与双栅调控结构，通过三维沟道增加有效导电通道面积，利用双栅结构增强栅极控制能力，有效提升TFT器件的电学性能与工作稳定性。陈荣盛还进一步探讨了该类器件在集成传感器中的应用潜力，展示了其在智能感知与医疗健康监测等领域的广阔前景。

讲座现场(黄贤帅 拍摄)

整场讲座内容翔实、深入浅出，陈荣盛结合自身科研实例，采用启发式提问等方式进行讲解，将复杂的器件物理与工艺技术通俗化呈现，极大调动了同学们的学习积极性。现场学术氛围浓厚，同学们认真倾听、细致记录；在互动答疑环节，大家踊跃举手提问。针对同学们普遍关心的考研与深造问题，陈荣盛鼓励大家夯实半导体物理、器件物理、集成电路设计基础，重视实验实操能力培养，主动塑造创新科研思维，并逐一细致解答大家的备考与学习疑问，为学子专业发展指明方向。

提问环节(黄贤帅 拍摄)

讲座结束后，陈荣盛与学院集成电路相关教师进行座谈。座谈会聚焦半导体物理及器件、先进传感器等课程教学改革，围绕前沿科研成果融入课堂教学、课程体系优化、实验环节升级、学生工程实践能力与创新思维培养等内容进行深入研讨与交流，为学院深化产学研融合、提升专业教学质量、优化人才培养体系提供了宝贵思路。

据悉，陈荣盛教授长期深耕微电子与集成电路领域，担任广东省智能传感器与专用集成电路工程技术研究中心副主任，入选广东省海外引进高层次青年人才、广州市高层次青年人才、TCL青年学者，国际IEEE协会高级会员、国际信息显示协会SID北京分会技术委员会委员等。在金属氧化物薄膜晶体管、智能传感器及专用集成电路等方向取得了一系列创新性成果，具有广泛的学术影响力。

文字录入：高歌 电子信息工程学院/通信工程学院；编辑：涂昌鹏